Bericht versturen

IXTA1N100

fabrikant:
IXYS
Beschrijving:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Categorie:
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
Specificaties
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 25µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11Ohm @ 1A, 10V
FET Type:
N-Channel
Inrichtingsspanning (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain naar bronspanning (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Productstatus:
Actief
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
400 pF @ 25 V
Montage-type:
Oppervlakte
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-263AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
54W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTA1
Inleiding
N-kanaal 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Oppervlaktebevestiging TO-263AA
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: