IXGA30N120B3
fabrikant:
IXYS
Beschrijving:
IGBT transistors GenX3 1200V IGBT
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Poort-zender lekkagestroom:
Na 100
Productcategorie:
IGBT-transistors
Montage-stijl:
SMD/SMT
Ononderbroken Collectorstroom bij 25 C:
60 A
Pd - Energieverspilling:
300 W
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
1,2 kV
Pakket / doos:
Aan-263-3
Maximale werktemperatuur:
+ 150 °C
Het maximumvoltage van de Poortzender:
+/- 20 V
verpakking:
Buis
Configuratie:
Alleenstaande
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
2.96 V
Vervaardiging:
IXYS
Inleiding
De IXGA30N120B3, van IXYS, is IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: