IXGH6N170A
fabrikant:
IXYS
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Poort-zender lekkagestroom:
Na 100
Productcategorie:
IGBT-transistors
Montage-stijl:
Door het gat
Ononderbroken Collectorstroom bij 25 C:
6 A
Pd - Energieverspilling:
75 W
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
1,7 kV
Pakket / doos:
TO-247-3
Maximale werktemperatuur:
+ 150 °C
Het maximumvoltage van de Poortzender:
+/- 20 V
verpakking:
Buis
Configuratie:
Alleenstaande
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
5.4 V
Vervaardiging:
IXYS
Inleiding
De IXGH6N170A,van IXYS,is IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Related Products
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: