IXGK100N170
fabrikant:
IXYS
Beschrijving:
IGBT transistors HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Poort-zender lekkagestroom:
Na 200
Productcategorie:
IGBT-transistors
Montage-stijl:
Door het gat
Ononderbroken Collectorstroom bij 25 C:
170 A
Pd - Energieverspilling:
830 W
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
1,7 kV
Pakket / doos:
Aan-264-3
Maximale werktemperatuur:
+ 150 °C
Het maximumvoltage van de Poortzender:
+/- 20 V
verpakking:
Buis
Configuratie:
Alleenstaande
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
2,5 V
Vervaardiging:
IXYS
Inleiding
De IXGK100N170, van IXYS, is IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: