2SC5707-E
fabrikant:
ONSEMI
Beschrijving:
Bipolaire transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Transistorpolariteit:
NPN
Productcategorie:
Bipolaire Transistors - BJT
Montage-stijl:
Door het gat
Maximale DC-collectorstroom:
11 A
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
50 V
Pakket / doos:
TO-251-3
Maximale werktemperatuur:
+ 150 °C
Het Product voet van de aanwinstenbandbreedte:
330 MHz
Configuratie:
Alleenstaande
Het Voltage van de collectorbasis VCBO:
100 V
Reeks:
2SC5707
Het Voltage van de zenderbasis VEBO:
6 V
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
160 mV, 110 mV
Vervaardiging:
een half
Inleiding
De 2SC5707-E, van onsemi, is Bipolar Transistors - BJT. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: