Bericht versturen
Huis > producten > Halfgeleiders > MJD31CT4G

MJD31CT4G

fabrikant:
ONSEMI
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Transistorpolariteit:
NPN
Productcategorie:
Bipolaire Transistors - BJT
Montage-stijl:
SMD/SMT
Maximale DC-collectorstroom:
3 A
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
100 V
Pakket / doos:
Aan-252-3
Maximale werktemperatuur:
+ 150 °C
Het Product voet van de aanwinstenbandbreedte:
3 MHz
Configuratie:
Alleenstaande
Het Voltage van de collectorbasis VCBO:
100 V
Reeks:
MJD31C
Het Voltage van de zenderbasis VEBO:
5 V
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
1.2 V
Vervaardiging:
een half
Inleiding
De MJD31CT4G,van onsemi,is Bipolar Transistors - BJT. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: