MMBT5550LT1G
fabrikant:
ONSEMI
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Transistorpolariteit:
NPN
Productcategorie:
Bipolaire Transistors - BJT
Montage-stijl:
SMD/SMT
Maximale DC-collectorstroom:
600 mA
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
140 V
Pakket / doos:
SOT-23-3
Maximale werktemperatuur:
+ 150 °C
Configuratie:
Alleenstaande
Het Voltage van de collectorbasis VCBO:
180 V
Reeks:
MMBT5550L
Het Voltage van de zenderbasis VEBO:
6 V
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
0,15 V
Vervaardiging:
een half
Inleiding
De MMBT5550LT1G,van onsemi,is Bipolar Transistors - BJT. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: