IRFB4227PBF
fabrikant:
Infineon-technologieën
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Categorie:
Afzonderlijke Halfgeleiderproducten
Specificaties
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Operating Temperature:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
98 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 46A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4600 pF @ 25 V
Montage-type:
Door het gat
Series:
HEXFET®
Verpakking van de leverancier:
Aan-220AB
Mfr:
Infineon Technologies
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C:
65A (Tc)
Power Dissipation (Max):
330W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metaaloxide)
Base Product Number:
IRFB4227
Inleiding
N-kanaal 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) door gat TO-220AB
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: