QPD1000
Specificaties
Transistorpolariteit:
N-kanaal
Technologie:
GaN SiC
Productcategorie:
RF JFET-transistors
Montage-stijl:
SMD/SMT
Gewin:
19 dB
Type transistor:
HEMT
Uitgangsvermogen:
24 W
Pakket / doos:
Qfn-8
Maximale werktemperatuur:
+ 85 °C
Vds - afvoerkanaal-Bronanalysevoltage:
28 V
verpakking:
Tray
Identiteitskaart - Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:
817 mA
Vgs - Breukspanning van de poortbron:
100 V
Pd - Energieverspilling:
28.8 W
Vervaardiging:
Qorvo
Inleiding
De QPD1000 van Qorvo is RF JFET Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten

T2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB

T2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN

QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN

QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

TGF3015-SM
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

TGF2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
Beeld | deel # | Beschrijving | |
---|---|---|---|
![]() |
T2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
![]() |
TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
|
![]() |
T2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
|
|
![]() |
QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
|
|
![]() |
QPD1015L |
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
|
|
![]() |
TGF3015-SM |
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
|
|
![]() |
TGF2953 |
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: