- Ik ben niet van plan.
fabrikant:
Toshiba
Beschrijving:
Flashgeheugen 8GB NAND EEPROM w/CQ
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Productcategorie:
Flashgeheugen
Montage-stijl:
SMD/SMT
Pakket / doos:
Fbga-153
Voedingsspanning - max.:
3.6 V
Geheugengrootte:
8 GB
verpakking:
Tray
Voedingsspanning - min:
2.7 V
Geheugentype:
NAND
Werktemperatuurbereik:
- 25 C aan + 85 C
Vervaardiging:
Toshiba
Inleiding
De THGBMHG6C1LBAIL,van Toshiba,is Flash Memory. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs in de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten
TC58NVG3S0FTA00
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
- Ik ben niet bang.
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
TC58NVG2S3ETA00
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
THGBMDG5D1LBAIL
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
THGBMHG8C2LBAIL
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
TC58NVG1S3ETAI0
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
- Ik ben niet bang.
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
THGBMHG7C1LBAIL
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
TC58NVG1S3ETA00
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TH58NVG4S0FTA20
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG3S0FTA00 |
Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
|
|
|
|
- Ik ben niet bang. |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG2S3ETA00 |
Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
THGBMDG5D1LBAIL |
Flash Memory 4GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG8C2LBAIL |
Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETAI0 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
- Ik ben niet bang. |
Flash Memory 8GB NAND EEPROM
|
|
|
|
THGBMHG7C1LBAIL |
Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
|
|
|
|
TC58NVG1S3ETA00 |
Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
|
|
|
|
TH58NVG4S0FTA20 |
Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: