STGW60H65DFB
Specificaties
Poort-zender lekkagestroom:
250 nA
Productcategorie:
IGBT-transistors
Montage-stijl:
Door het gat
Ononderbroken Collectorstroom bij 25 C:
80 EEN
Pd - Energieverspilling:
375 W
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
650 V
Pakket / doos:
TO-247-3
Maximale werktemperatuur:
+ 175 C
Het maximumvoltage van de Poortzender:
20 V
verpakking:
Buis
Configuratie:
Alleenstaande
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
1,6 V
Vervaardiging:
STMicro-elektronica
Inleiding
De STGW60H65DFB,van STMicroelectronics,is IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs in de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verwante producten

STGWA60H65DFB
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar

STGW45HF60WD
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT

STGW40H120F2
Beeld | deel # | Beschrijving | |
---|---|---|---|
![]() |
STGWA60H65DFB |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
|
|
![]() |
STGW45HF60WD |
IGBT Transistors 45A 600V Ultra Fast IGBT
|
|
![]() |
STGW40H120F2 |
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: