Bericht versturen
Huis > producten > Halfgeleiders > HGTG20N60B3D

HGTG20N60B3D

fabrikant:
Fairchild halfgeleider
Beschrijving:
IGBT-transistors 600V IGBT-UFS-N-kanaal
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Poort-zender lekkagestroom:
+/- 100 nA
Productcategorie:
IGBT-transistors
Montage-stijl:
Door het gat
Ononderbroken Collectorstroom bij 25 C:
20 A
Pd - Energieverspilling:
165 W
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
600 V
Pakket / doos:
TO-247-3
Maximale werktemperatuur:
+ 150 °C
Het maximumvoltage van de Poortzender:
+/- 20 V
verpakking:
Buis
Configuratie:
Alleenstaande
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
1.8 V
Vervaardiging:
Fairchild halfgeleider
Inleiding
De HGTG20N60B3D, van Fairchild Semiconductor, zijn IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt, die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: