Bericht versturen
Huis > producten > Halfgeleiders > IKP10N60T

IKP10N60T

fabrikant:
Infineon-technologieën
Beschrijving:
IGBT-transistors met laag verlies DuoPack 600V 10A
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Poort-zender lekkagestroom:
Na 100
Productcategorie:
IGBT-transistors
Montage-stijl:
Door het gat
Ononderbroken Collectorstroom bij 25 C:
24 A
Pd - Energieverspilling:
110 W
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender:
600 V
Pakket / doos:
TO-220-3
Maximale werktemperatuur:
+ 175 C
Het maximumvoltage van de Poortzender:
20 V
verpakking:
Buis
Configuratie:
Alleenstaande
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
1.8 V
Vervaardiging:
Infineon Technologies
Inleiding
De IKP10N60T,van Infineon Technologies,is IGBT Transistors. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Related Products
Beeld deel # Beschrijving
IKW20N60T

IKW20N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IKA15N60T

IKA15N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IHW30N160R2

IHW30N160R2

IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
AUIRG4PH50S

AUIRG4PH50S

Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: