K4E6E304EE-EGCE
fabrikant:
Samsung halfgeleider
Categorie:
Halfgeleiders
Specificaties
Pakket:
BGA-178
Productcategorie:
halfgeleiders-geïntegreerde schakelingen - IC's
Vervaardiging:
de halfgeleider van Samsung
Inleiding
De K4E6E304EE-EGCE,van Samsung Semiconductor,is een halfgeleider geïntegreerde schakel - IC's. Wat we aanbieden hebben een concurrerende prijs op de wereldmarkt,die zijn in originele en nieuwe onderdelen.Als u meer wilt weten over de producten of een lagere prijs wenst, neem contact met ons op via de online chat of stuur ons een offerte!
Related Products
K4S561632H-UC75
SDRAM Product Guide
K4S511632D-UC75
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
K4T1G164QE-HCF8
1Gb E-die DDR2 SDRAM
K9F1G08U0B-PCB0
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-PIB0
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K4S561632N-LC75
K9F1G08U0D-SCB0
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9WBG08U1M-PIB0
K9WAG08U1A-PIB0
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F2G08U0C-SIB0
2Gb C-die NAND Flash
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
K4S561632H-UC75 |
SDRAM Product Guide
|
|
|
|
K4S511632D-UC75 |
DDP 512Mbit SDRAM 8M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
|
|
|
|
K4T1G164QE-HCF8 |
1Gb E-die DDR2 SDRAM
|
|
|
|
K9F1G08U0B-PCB0 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9F5608U0D-PIB0 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K4S561632N-LC75 |
|
|
|
|
K9F1G08U0D-SCB0 |
128M x 8 Bit / 256M x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9WBG08U1M-PIB0 |
|
|
|
|
K9WAG08U1A-PIB0 |
1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
|
|
|
|
K9F2G08U0C-SIB0 |
2Gb C-die NAND Flash
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ: